Fitxer:Scheme of n-metal oxide semiconductor field-effect transistor with channel de.svg

Fitxer original (fitxer SVG, nominalment 625 × 400 píxels, mida del fitxer: 27 Ko)

Logo del projecte Wikimedia Commons

Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons.

Vegeu la pàgina original a Commons

Resum

Descripció	English: Lateral cut of a metal oxide semiconductor field-effect transistor with the channel. Coloured, with german descriptions Deutsch: Eingefärbtes Schema eines n-Kanal w:de:MOSFET. Die Anschlüsse sind: S: Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“) G: Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“) D: Drain (engl. für „Abfluss“) B: Bulk/Substrat Mit steigender Spannung zwischen Gate und Bulk bzw. Substrat (hier rot dargestellt) werden dabei zuerst die Majoritätsladungsträger verdrängt und es bildet sich durch Ladungsträger-Verarmung ein nichtleitendes Gebiet. Steigt die Spannung weiter, kommt es zur Inversion, das p-dotierte Substrat wird unterhalb des Gates n-leitend und bildet einen leitenden Kanal zwischen Source und Drain. ('+' bedeutet in dieser Abbildung starke Dotierung.)
Data	2006
Font	Treball propi
Autor	Arne Nordmann (norro}

Sou lliure de:

Amb les condicions següents:

reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o creeu a partir del material, heu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible amb l'original.

Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.

	Data/hora	Miniatura	Dimensions	Usuari/a	Comentari
actual	20:10, 3 maig 2006		625 × 400 (27 Ko)	wikimediacommons>Norro	small mistake

La pàgina següent utilitza aquest fitxer: